半導体レーザおよび半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 政勝; 上野山 雄 |
| 发表日期 | 2004-06-25 |
| 专利号 | JP3567550B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよび半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流が小さく、光学利得が高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 NGO(011)基板101の上に有機金属気相成長方等の結晶成長方法によってGaNバッファ層102を成長させ、続いてn型AlGaNクラッド層103、n型AlGaN光ガイド層104、AlGaN/GaN量子井戸構造による活性層105、p型AlGaN光ガイド層106、p型AlGaNクラッド層107を成長させ、その一部をn型AlGaN層までエッチングし、カソード電極108とアノード電極を形成する。発光110の方向を図のように選ぶと、TEモードでは光の電場ベクトル111がc面内に平行になる。したがって、上述の内容からc面内で光の進行方向に垂直な方向に圧縮歪112を加えることにより、低しきい値電流の半導体レーザおよび輝度の大きい指向性のある発光素子を得ることができる。 |
| 公开日期 | 2004-09-22 |
| 申请日期 | 1995-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44554]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 政勝,上野山 雄. 半導体レーザおよび半導体発光素子. JP3567550B2. 2004-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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