構造体及びそれを用いた半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP3138623B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 構造体及びそれを用いた半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 同一基板上にエピタキシャル成長可能な複数の半導体素子層と金属層とを交互に積層させ、電気的にオーミックに直列接続させた半導体素子を得る。 【解決手段】 NiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とを交互に組合せて積層し、超格子構造体を形成する。このNiIn0.24Al0.76ウエル層3の真空準位と、n-In0.53Ga0.47Asバリア層4の伝導帯11と価電子帯13とのエネルギ準位、あるいはNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4とにおける電子16の有効質量に対してNiIn0.24Al0.76ウエル層3とn-In0.53Ga0.47Asバリア層4との厚さを、透過電子波14が位相を強め合うようにする。 |
| 公开日期 | 2001-02-26 |
| 申请日期 | 1995-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44561]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 構造体及びそれを用いた半導体素子. JP3138623B2. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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