ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西野 勇; 梅津 一之; 佐川 徹 |
| 发表日期 | 2007-11-16 |
| 专利号 | JP4040135B2 |
| 著作权人 | DOWAホールディングス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 ZnSe系化合物半導体とする発光素子の電極部分におけるコンタクト抵抗が低く良好なオーミック接触が得られ、発熱の低減、素子の長寿命化が可能なZnSe系半導体レーザおよびその製造方法の提供。 【解決手段】 n-ZnSe基板2上にn-ZnSeバッファ層4、n-MgZnSSeクラッド層7、n-ZnSe光ガイド層9を成長後、活性層としてZnCdSe層10を成長し、その上にp-ZnSe光ガイド層12、p-MgZnSSeクラッド層13、p-ZnSeバッファ層15を成長し、コンタクト層としてp-ZnSe/p-ZnTe超格子層(傾斜組成層)16を成長し、p-ZnTe層17でキャップし、さらに蒸着法でp側にはPd/Pt/Au電極21、n側にはTi/Pt/Au電極23を堆積させたものである。 |
| 公开日期 | 2008-01-30 |
| 申请日期 | 1997-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44585]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | DOWAホールディングス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西野 勇,梅津 一之,佐川 徹. ZnSe系化合物半導体レーザの製造方法. JP4040135B2. 2007-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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