レーザ
文献类型：专利
| 作者 | デービッド ピー.ボアー; ロバート エル.ソーントン |
| 发表日期 | 1997-07-04 |
| 专利号 | JP2670252B2 |
| 著作权人 | ゼロックス コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 電子のヘテロ障壁リークが減少した(AlX Ga1-X )0.5 In0.5P物質システムをベースにした半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基体14を有し、基体に隣接するNドープクラッド層18を有し、Nドープクラッド層に隣接する下部閉じ込め層20を有し、下部閉じ込め層に隣接する活性領域22を有し、活性領域に隣接する上部閉じ込め層24を有し、上部閉じ込め層に隣接するPドープクラッド層26を有し、上部閉じ込め層とPドープクラッド層の間に配置される高いバンドギャップエネルギーを有するトンネル障壁層12を有し、トンネル障壁層は、十分に薄くΓ電子が間接バレーに拡散せず、従って高い、Γ状障壁高を維持する。 |
| 公开日期 | 1997-10-29 |
| 申请日期 | 1995-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44587]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ゼロックス コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | デービッド ピー.ボアー,ロバート エル.ソーントン. レーザ. JP2670252B2. 1997-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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