Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
文献类型：专利
| 作者 | KONDOU, MASAHUMI; KAMIKAWA, TAKESHI; KAWAGUCHI, YOSHINOBU |
| 发表日期 | 2010-04-20 |
| 专利号 | US7701994 |
| 著作权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof |
| 英文摘要 | An adhesion layer of a hexagonal crystal is laid on a facet an optical resonator of a nitride semiconductor laser bar having a nitride-based III-V group compound semiconductor layer, and a facet coat is laid on the adhesion layer. In this way, a structure in which the facet coat is laid on the adhesion layer is obtained. |
| 公开日期 | 2010-04-20 |
| 申请日期 | 2005-12-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KONDOU, MASAHUMI,KAMIKAWA, TAKESHI,KAWAGUCHI, YOSHINOBU. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof. US7701994. 2010-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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