HALBLEITERLASER-VORRICHTUNG.
文献类型：专利
| 作者 | YAMAMOTO SABURO UDA-GUN NARA-KEN; HAYAKAWA TOSHIRO NARA-SHI NARA-KEN; SUYAMA TAKAHIRO; TAKAHASHI KOHSEI; KONDO MASAFUMI TENRI-SHI NARA-KEN |
| 发表日期 | 1993-02-04 |
| 专利号 | DE3687329D1 |
| 著作权人 | SHARP KK |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | HALBLEITERLASER-VORRICHTUNG. |
| 英文摘要 | A semiconductor laser device comprising an AlxGa1 xAs (x>/=0.3] quantum well active region having a thickness of 200 ANGSTROM or less, AlyGa1 yAs (y @x) carrier supplying layers sandwiching said quantum well active region therebetween, and an AlzGa1 zAs (z>y) cladding layer disposed on each of said carrier supplying layers, wherein an AlwGa1 wAs (w>z) barrier layer is disposed between each of said carrier supplying layers and each of said cladding layers. |
| 公开日期 | 1993-02-04 |
| 申请日期 | 1986-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44626]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAMOTO SABURO UDA-GUN NARA-KEN,HAYAKAWA TOSHIRO NARA-SHI NARA-KEN,SUYAMA TAKAHIRO,et al. HALBLEITERLASER-VORRICHTUNG.. DE3687329D1. 1993-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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