Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
文献类型：专利
| 作者 | ISHIZUMI TAKASHI; KANEIWA SHINJI |
| 发表日期 | 2004-10-14 |
| 专利号 | DE69826046D1 |
| 著作权人 | SHARP K.K. |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung |
| 英文摘要 | The present invention provides a method for producing a semiconductor laser device having at least a light emitting section, a cap layer and an electrode successively formed on a semiconductor substrate, the light emitting section including a light emitting layer located approximately in a middle of a thickness of the device. The method includes the step of growing the light emitting section and the cap layer using a vapor phase epitaxy method, wherein a growth rate of the cap layer is greater than a growth rate of the light emitting section. |
| 公开日期 | 2004-10-14 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP K.K. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ISHIZUMI TAKASHI,KANEIWA SHINJI. Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung. DE69826046D1. 2004-10-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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