半導体波長可変レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 南部 芳弘; 西 研一 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP3033517B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体波長可変レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 連続可変波長幅が大きく、構造が簡便かつ製造が容易で、モノリシックで小型かつ取り扱いの簡易な可変波長半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 利得スペクトルが所用の可変波長領域をカバーするようにサイズのばらつきが制御された、熱的ド·ブロイ波長程度のサイズを有する2次元的あるいは3次元的キャリア閉じ込め構造により構成され電流を注入することにより光を発生し増幅する光利得領域と、電流注入量により光吸収係数が変化する光吸収制御領域と、前記光利得領域および光吸収制御領域を内包する光共振器と、前記光利得領域および光吸収制御領域に注入する電流量または電圧値を独立に制御する制御手段とを有する。 |
| 公开日期 | 2000-04-17 |
| 申请日期 | 1997-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44634]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 南部 芳弘,西 研一. 半導体波長可変レーザ. JP3033517B2. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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