可視光半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山本 直 |
| 发表日期 | 2005-05-13 |
| 专利号 | JP3674139B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 可視光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体層表面の平坦性を向上させ、これにより高信頼性の可視光半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本可視光半導体レーザは、Ga As 基板上に、Ga InPAs活性層と活性層を挟む(Alx Ga1-x )Z In1-Z P1-Y AsY とからなるクラッド層とを備えている。例えば、本可視光半導体レーザ30は、n-Ga As 基板32上に順次格子整合させて形成した、n-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる下部クラッド層34と、真性Ga InPAsからなる活性層36と、p-(Alx Ga1-x )0.5 In 0.5P0.95As0.05からなる上部クラッド層38と、p-Ga InPからなるバッファ層40と、及び、p-GaAs からなるコンタクト層42とから構成されている。 |
| 公开日期 | 2005-07-20 |
| 申请日期 | 1996-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 直. 可視光半導体レーザ. JP3674139B2. 2005-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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