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半導体レ—ザ及び光波長の変調方法

文献类型:专利

作者福沢 董; リン イー リウ; エミリオ ユージニオ メンデズ
发表日期1996-07-08
专利号JP2537002B2
著作权人インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション
国家日本
文献子类授权发明
其他题名半導体レ—ザ及び光波長の変調方法
英文摘要【目的】 半導体レーザの活性領域で結合量子ウェルを利用することでレーザ光出力の周波数および振幅を変調する。 【構成】 波長可変レーザの活性領域(120) は、幅約20Å以下の障壁層で分離される幅約50Å以下の二つの量子ウェルから成る。量子ウェルの材料は真性GaAsであり、障壁層の材料はAlx Ga1-x As(x=.23)である。活性領域は第一側(32)がドープp型で第二側(36)がドープn型であるダブルへテロ構造に包囲されるため、レーザ(30)はpin型構造となる。pin構造のフラットバンド電圧に対する逆バイアスが、レーザ出力の周波数と強度を変調するpin構造へ印加される。波長可変レーザは電気及び光ポンピングを含む従来の手段でポンプされる。波長の変調は5 ボルトの作動範囲でほぼ直線的である。
公开日期1996-09-25
申请日期1992-08-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44681]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション
推荐引用方式
GB/T 7714
福沢 董,リン イー リウ,エミリオ ユージニオ メンデズ. 半導体レ—ザ及び光波長の変調方法. JP2537002B2. 1996-07-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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