半導体レ—ザ及び光波長の変調方法
文献类型：专利
| 作者 | 福沢 董; リン イー リウ; エミリオ ユージニオ メンデズ |
| 发表日期 | 1996-07-08 |
| 专利号 | JP2537002B2 |
| 著作权人 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ及び光波長の変調方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの活性領域で結合量子ウェルを利用することでレーザ光出力の周波数および振幅を変調する。 【構成】 波長可変レーザの活性領域(120) は、幅約20Å以下の障壁層で分離される幅約50Å以下の二つの量子ウェルから成る。量子ウェルの材料は真性GaAsであり、障壁層の材料はAlx Ga1-x As(x=.23)である。活性領域は第一側(32)がドープp型で第二側(36)がドープn型であるダブルへテロ構造に包囲されるため、レーザ(30)はpin型構造となる。pin構造のフラットバンド電圧に対する逆バイアスが、レーザ出力の周波数と強度を変調するpin構造へ印加される。波長可変レーザは電気及び光ポンピングを含む従来の手段でポンプされる。波長の変調は5 ボルトの作動範囲でほぼ直線的である。 |
| 公开日期 | 1996-09-25 |
| 申请日期 | 1992-08-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44681]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | インターナショナル·ビジネス·マシーンズ·コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福沢 董,リン イー リウ,エミリオ ユージニオ メンデズ. 半導体レ—ザ及び光波長の変調方法. JP2537002B2. 1996-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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