半導体の微細加工方法
文献类型：专利
| 作者 | 小倉 睦郎 |
| 发表日期 | 1996-02-21 |
| 专利号 | JP1996017230B2 |
| 著作权人 | 工業技術院長 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体の微細加工方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体微細構造を簡単かつ高精度に形成する。 【構成】 基板10または基板10上にエピタキシャル成長した半導体層11の上にタングステン薄膜を形成する。この薄膜を、既存のリソグラフィ専用機により所望のパタンにパターニングして所定形状のマスク12とする。こうした試料をECRエッチングし、これとの一貫プロセスとして、大気に晒すことなくMOCVD成長炉内に移し、上記のマスク12を選択成長用のマスクとして用いてMOCVD選択再成長によりAlGaAs層17を形成し、埋め込み構造を得る。 |
| 公开日期 | 1996-02-21 |
| 申请日期 | 1992-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44683]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 工業技術院長 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小倉 睦郎. 半導体の微細加工方法. JP1996017230B2. 1996-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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