GaN単結晶基板
文献类型：专利
| 作者 | 元木 健作; 西本 達也; 岡久 拓司; 松本 直樹 |
| 发表日期 | 2006-04-07 |
| 专利号 | JP3788037B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN単結晶基板 |
| 英文摘要 | 【目的】 面積が広く反りが少なく自立できるGaN単結晶基板を提供すること。 【構成】 GaAs(111)基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、HVPE法またはMOC法により低温でGaNバッファ層を形成し、HVPE法により高温でGaNエピタキシャル層を厚く形成し、GaAs基板を除去する。GaNの自立膜を種結晶としてHVPE法でGaNを厚付けしGaNインゴットを作る。これをスライサーによって切断して透明無色の反りの少ないGaNウエハを作る。 |
| 公开日期 | 2006-06-21 |
| 申请日期 | 1998-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44692]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元木 健作,西本 達也,岡久 拓司,等. GaN単結晶基板. JP3788037B2. 2006-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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