半導体光増幅器アレイ
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之 |
| 发表日期 | 2006-05-19 |
| 专利号 | JP3804316B2 |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光増幅器アレイ |
| 英文摘要 | 【課題】 各半導体光増幅器のオン/オフ消光比を大きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器アレイを提供する。 【解決手段】 上部第2クラッド層5の側面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜7で覆われている場合には、ポリマ膜7に光吸収剤が分散あるいは充填されるので、各半導体光増幅器Ch1〜Ch4の入射端に接続される光ファイバからの信号光がポリマ膜7中を伝搬し、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。吸収剤を含まないポリマ膜7の上に金属膜16-1〜16-5を形成する場合には、入射端に接続される光ファイバからの信号光が金属膜16-1〜16-5で吸収され、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。上部第2クラッド層5が積層体の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高消光比特性が得られる。 |
| 公开日期 | 2006-08-02 |
| 申请日期 | 1998-12-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44698]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之. 半導体光増幅器アレイ. JP3804316B2. 2006-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。