半导体激光器件及其设计方法
文献类型：专利
| 作者 | 林伸彦; 井手大辅; 茨木晃 |
| 发表日期 | 2002-12-18 |
| 专利号 | CN1096729C |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器件及其设计方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。 |
| 公开日期 | 2002-12-18 |
| 申请日期 | 1997-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44731]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林伸彦,井手大辅,茨木晃. 半导体激光器件及其设计方法. CN1096729C. 2002-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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