实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
文献类型：专利
| 作者 | 王晓燕; 闫立华; 赵润; 常会增; 徐会武; 陈宏泰; 安振峰 |
| 发表日期 | 2013-07-03 |
| 专利号 | CN102263375B |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位于所述管座上表面的半导体激光器芯组、两条自半导体激光器芯组两端引出的电极引线和覆在所述半导体激光器芯组上的石英散射片。本发明的优点是充分利用半导体激光器两个方向光场不对称特性，在激光器慢轴和快轴方向分别采用不同数量的激光器阵列进行拼接，配合特定的曲面支架和特定角度的单元阵列，实现快轴和慢轴方向发散角度相当、辐射均匀的大角度、高功率光源照射。 |
| 公开日期 | 2013-07-03 |
| 申请日期 | 2011-06-20 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44766]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓燕,闫立华,赵润,等. 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法. CN102263375B. 2013-07-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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