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一种带有双沟槽结构的激光器芯片

文献类型:专利

作者高海根
发表日期2016-03-23
专利号CN205104758U
著作权人长江大学
国家中国
文献子类实用新型
其他题名一种带有双沟槽结构的激光器芯片
英文摘要本实用新型涉及一种带有双沟槽结构的激光器芯片,属于半导体激光器技术领域。该激光器芯片由衬台和脊形台构成,衬台上表面中心部位设置有脊形台;脊形台一端端头的衬台上对称状设置有沟槽。该带激光器芯片会使非电子注入区的波导层形成厚度差,由厚度不同的波导层提供侧向折射率台阶,形成侧向弱折射率波导结构,以限制光束的水平发散角。解决了激光器光斑质量差和光束难以集中的问题。该带有双沟槽结构的激光器芯片具有制备简单,生产方便的特点,特别适合半导体激光器的使用。
公开日期2016-03-23
申请日期2015-11-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44798]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长江大学
推荐引用方式
GB/T 7714
高海根. 一种带有双沟槽结构的激光器芯片. CN205104758U. 2016-03-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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