側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ
文献类型:专利
作者 | ウェンビン·ジアン; チャン-ロン·シェ; マイケル·エス·レビー |
发表日期 | 2006-05-12 |
专利号 | JP3801311B2 |
著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ |
英文摘要 | 【課題】 製造工程の簡略化とコスト低減を図った側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 垂直空洞面放出レーザ(VCSEL)は、第1および第2ミラー·スタックを有し、エピタキシャル層成長技法を用いて活性領域を形成する。側設光検出器は、エピタキシャル成長層において一体化されて形成され、これによって、側設一体化光検出器を有するVCSELが提供される。VCSELおよび光検出器間のエピタキシャル成長層内に分離領域が形成され、VCSELと光検出器を分離している。一体化VCSELおよび側設光検出器は、反射レーザ放出光を監視することによって、VCSELのレーザ·パワー出力を監視し、更にフィードバックを用いて特定のレーザ·パワー出力を維持することによって、自動パワー制御(APC)が可能となる。 |
公开日期 | 2006-07-26 |
申请日期 | 1997-06-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44802] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ウェンビン·ジアン,チャン-ロン·シェ,マイケル·エス·レビー. 側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ. JP3801311B2. 2006-05-12. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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