半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置
文献类型：专利
| 作者 | 大戶口勳; 足立秀人; 萬濃正也; 福久敏哉; 高森晃 |
| 发表日期 | 2004-04-23 |
| 专利号 | HK1017161A1 |
| 著作权人 | 松下電器產業株式會社 |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置 |
| 英文摘要 | 在-n型GaAS基底701上分别形成-n型GaAS缓冲层702，n型AlGaInP包层703，由AlGaInP和GaInP制成的多量子阱激活层704、第一P型AlGaInP包层705a、光导层707、第二P型包层705b、P型GaInP可饱和吸收层706和第三P型AlGaInP包层707。由于可饱和吸收层的体积被减小。并设置了光导层。实现了具有稳定的自激振荡特性，且具有相对低的噪声强度的半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2004-04-23 |
| 申请日期 | 1999-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44942]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大戶口勳,足立秀人,萬濃正也,等. 半導體激光器及使用該激光器的光盤裝置. HK1017161A1. 2004-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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