激光器组件
文献类型：专利
| 作者 | 早水尚树; 大木泰; 青柳秀雄; 小矶武; 山形友二; 室清文 |
| 发表日期 | 2008-06-25 |
| 专利号 | CN100397734C |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光器组件 |
| 英文摘要 | 一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤3×10-3nm-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。 |
| 公开日期 | 2008-06-25 |
| 申请日期 | 2003-05-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早水尚树,大木泰,青柳秀雄,等. 激光器组件. CN100397734C. 2008-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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