复合外腔半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 霍玉晶; 许知止; 周炳琨 |
| 发表日期 | 1988-10-05 |
| 专利号 | CN87215998U |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 复合外腔半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种复合外腔半导体激光器。属于半导体激光领域，本实用新型是由激光二极管、自聚焦透镜和部分反射镜组成复合外腔，其中激光二极管在耦合腔一侧的端面镀有增透膜，全部机械结构采用热胀系数小的材料制成的，粘结为一个整体并密封在壳内，充有保护气体。本实用新型线宽≤1MHz，在无恒温控制的普通实验室内、不进行任何反馈控制，单模运转稳定时间＞24小时，同一单模运转时注入电流变化范围达15mA(0.5Ith)。边模抑制比＞25db。 |
| 公开日期 | 1988-10-05 |
| 申请日期 | 1987-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44994]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 霍玉晶,许知止,周炳琨. 复合外腔半导体激光器. CN87215998U. 1988-10-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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