采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
文献类型:专利
作者 | 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平 |
发表日期 | 2011-09-28 |
专利号 | CN101888056B |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 |
英文摘要 | 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构,包括:一衬底,用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,制作在GaAs衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下渐变光陷阱层,制作在N型下限制层上;一上渐变光陷阱层,制作在下渐变光陷阱层上;一N型上限制层,制作在下渐变光陷阱层上;一N型渐变波导层,制作在N型下限制层上;一量子阱有源区,制作在N型渐变波导层上;一P型渐变波导层,制作在量子阱有源区上;一P型限制层,制作在P型渐变波导层上;一电极接触层,制作在P型限制层上。 |
公开日期 | 2011-09-28 |
申请日期 | 2009-05-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45004] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,白一鸣,崇锋,等. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN101888056B. 2011-09-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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