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采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构

文献类型:专利

作者王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平
发表日期2011-09-28
专利号CN101888056B
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类授权发明
其他题名采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
英文摘要一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构,包括:一衬底,用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,制作在GaAs衬底上;一N型下限制层,制作在缓冲层上;一下渐变光陷阱层,制作在N型下限制层上;一上渐变光陷阱层,制作在下渐变光陷阱层上;一N型上限制层,制作在下渐变光陷阱层上;一N型渐变波导层,制作在N型下限制层上;一量子阱有源区,制作在N型渐变波导层上;一P型渐变波导层,制作在量子阱有源区上;一P型限制层,制作在P型渐变波导层上;一电极接触层,制作在P型限制层上。
公开日期2011-09-28
申请日期2009-05-13
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45004]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王俊,白一鸣,崇锋,等. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN101888056B. 2011-09-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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