采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平 |
| 发表日期 | 2011-09-28 |
| 专利号 | CN101888056B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 |
| 英文摘要 | 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 申请日期 | 2009-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,白一鸣,崇锋,等. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN101888056B. 2011-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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