III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2013-09-18 |
| 专利号 | CN102422497B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 申请日期 | 2010-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45090]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盐谷阳平,善积祐介,京野孝史,等. III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法. CN102422497B. 2013-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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