具有脊的半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 蔡程惠; 沈钟寅; 河镜虎; 金奎相; 柳汉烈 |
| 发表日期 | 2012-08-22 |
| 专利号 | CN101026288B |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有脊的半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 提供一种半导体激光二极管，其包括衬底和依次形成于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层和电极。在半导体激光二极管中，第二半导体层具有脊，以及电极形成于第二半导体层的脊上，电极的宽度小于脊的宽度。 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 申请日期 | 2006-12-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡程惠,沈钟寅,河镜虎,等. 具有脊的半导体激光二极管. CN101026288B. 2012-08-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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