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半导体激光装置和光装置

文献类型:专利

作者井上大二朗; 别所靖之; 畑雅幸; 野村康彦
发表日期2010-09-22
专利号CN101414732B
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光装置和光装置
英文摘要本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极,产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。
公开日期2010-09-22
申请日期2005-03-11
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45127]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
井上大二朗,别所靖之,畑雅幸,等. 半导体激光装置和光装置. CN101414732B. 2010-09-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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