在同一襯底上製造異質結雙極型晶體管和激光二極管
文献类型：专利
| 作者 | P‧埃瓦爾德松; U‧艾利森 |
| 发表日期 | 2004-05-14 |
| 专利号 | HK1026068A1 |
| 著作权人 | 艾利森電話股份有限公司 |
| 国家 | 中国香港 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 在同一襯底上製造異質結雙極型晶體管和激光二極管 |
| 英文摘要 | 异质结双极型晶体管HBT和激光二极管LD由包括多个半导体层(1-9)的公用外延结构制作。晶体管可以由外延步骤结束之后得到的材料直接制作。为制作激光二极管，需要通过向材料中扩散(21)锌来改变结构，这样最顶层材料层的掺杂剂类型将由n-型转变为p-型。这是在晶片上的选定区域内进行的，这样，晶体管和激光二极管可以单片集成在一起。激光器的有源区(5)位于晶体管的集电极(3-5)，这为元件的设计提供了一定的自由度，并且可以对两个元件分别进行优化。因此，激光器和HBT可以具有相同的结构，如同它们分别得到优化一样。例如，激光器可以是垂直注入型，因此，可以得到与分立激光器相同的性能。 |
| 公开日期 | 2004-05-14 |
| 申请日期 | 2000-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45142]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 艾利森電話股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | P‧埃瓦爾德松,U‧艾利森. 在同一襯底上製造異質結雙極型晶體管和激光二極管. HK1026068A1. 2004-05-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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