改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王智勇; 贾冠男; 尧舜; 潘飞; 高祥宇; 李峙 |
| 发表日期 | 2016-09-07 |
| 专利号 | CN103855603B |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法 |
| 英文摘要 | 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法，主要包括：选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件；在多个半导体激光阵列器件中，选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件；将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠，使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。该方法直接从半导体激光器的光源入手，实现慢轴方向光场分布的改变，不仅可以使半导体激光阵列器件型激光器获得特定要求的慢轴方向光场分布，提高了激光熔覆的效率和熔覆层的硬度，而且还避免了其结构的复杂化，使其得到更加广泛的引用。 |
| 公开日期 | 2016-09-07 |
| 申请日期 | 2014-03-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45275]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,贾冠男,尧舜,等. 改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法. CN103855603B. 2016-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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