光半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 中原宏治; 工藤真; 田中滋久; 白井正敬 |
| 发表日期 | 2009-08-19 |
| 专利号 | CN100530867C |
| 著作权人 | 日本奥兰若株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半导体元件 |
| 英文摘要 | 在将导入了应力的量子阱层作为活性层的半导体激光器或电场吸收型调制器中，因为能带结构，特别是无法独立地调整ΔEc与ΔEv，所以在激光器特性或调制特性的最佳化上产生了瓶颈。在n型InP晶片1上依次层叠n型InGaAlAs-GRIN-SCH层3、MQW层4、p型InGaAlAs-GRIN-SCH层5、p型InAlAs电子阻止层6等，MQW层4由InGaAlAs的应力阱层和由InGaAlAsSb构成的，具有和阱层符号相反的应力的阻挡层构成。 |
| 公开日期 | 2009-08-19 |
| 申请日期 | 2005-08-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45297]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本奥兰若株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中原宏治,工藤真,田中滋久,等. 光半导体元件. CN100530867C. 2009-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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