自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 康香宁; 胡晓东 ; 王琦; 章蓓; 杨志坚; 徐科; 陈志忠; 于彤军; 秦志新; 张国义
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| 发表日期 | 2007-11-28 |
| 专利号 | CN100352116C |
| 著作权人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。 |
| 公开日期 | 2007-11-28 |
| 申请日期 | 2005-01-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45336]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 康香宁,胡晓东,王琦,等. 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法. CN100352116C. 2007-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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