激光二极管元件组件及其驱动方法
文献类型：专利
| 作者 | 大木智之; 仓本大; 幸田伦太郎; 渡边秀辉; 横山弘之 |
| 发表日期 | 2016-05-18 |
| 专利号 | CN102684067B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光二极管元件组件及其驱动方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。 |
| 公开日期 | 2016-05-18 |
| 申请日期 | 2012-03-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大木智之,仓本大,幸田伦太郎,等. 激光二极管元件组件及其驱动方法. CN102684067B. 2016-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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