边发射半导体激光器芯片
文献类型：专利
| 作者 | 克里斯蒂安·劳尔; 哈拉尔德·科尼格; 沃尔夫冈·赖尔; 尤伟·斯特劳斯 |
| 发表日期 | 2013-09-18 |
| 专利号 | CN102224647B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 边发射半导体激光器芯片 |
| 英文摘要 | 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 申请日期 | 2009-10-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45356]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯蒂安·劳尔,哈拉尔德·科尼格,沃尔夫冈·赖尔,等. 边发射半导体激光器芯片. CN102224647B. 2013-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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