半导体激光器元件和半导体激光器器件
文献类型：专利
| 作者 | 今西大介 |
| 发表日期 | 2012-06-06 |
| 专利号 | CN101882755B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器元件和半导体激光器器件 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 申请日期 | 2010-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西大介. 半导体激光器元件和半导体激光器器件. CN101882755B. 2012-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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