氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 广山良治; 三宅泰人; 久纳康光; 别所靖之; 畑雅幸 |
| 发表日期 | 2012-05-30 |
| 专利号 | CN101809833B |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。 |
| 公开日期 | 2012-05-30 |
| 申请日期 | 2008-09-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 广山良治,三宅泰人,久纳康光,等. 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法. CN101809833B. 2012-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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