光电装置及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 安东尼·J·罗特费尔德 |
| 发表日期 | 2013-04-17 |
| 专利号 | CN102122675B |
| 著作权人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光电装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种光电装置及其制造方法，该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底部二极管区域。上述装置更包括一顶部二极管材料以及位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间的一有源二极管区。本发明借由于高品质、大区域、低成本的硅晶片上制作太阳能电池、发光二极管、共振穿隧二极管、半导体激光与其他化合物半导体装置，借以降低成本。 |
| 公开日期 | 2013-04-17 |
| 申请日期 | 2010-07-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45387]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安东尼·J·罗特费尔德. 光电装置及其制造方法. CN102122675B. 2013-04-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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