薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 宋俊午; 林东皙; 成泰连 |
| 发表日期 | 2009-07-22 |
| 专利号 | CN100517774C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于形成高质量欧姆接触的技术，其可用于制备使用氮化镓(GaN)半导体的发射蓝绿可见光和紫外光的短波发光二极管(LED)，及激光二极管(LD)。通过在P-型氮化镓半导体的顶部沉积镍(Ni)基固溶体可以形成欧姆接触。如此形成的欧姆接触，由于在氮化镓层表面附件的有效载流子浓度的提高而具有优异的伏安特性和低的接触电阻率，以及在短波区域内的高透射率。 |
| 公开日期 | 2009-07-22 |
| 申请日期 | 2004-03-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45488]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋俊午,林东皙,成泰连. 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法. CN100517774C. 2009-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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