半导体激光器及劈开方法
文献类型：专利
| 作者 | 木户口勳; 足立秀人; 熊渕康仁 |
| 发表日期 | 2003-11-26 |
| 专利号 | CN1129218C |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及劈开方法 |
| 英文摘要 | 在具有一活性层和其间插入该活性层的一包层结构的半导体激光器中，该包层结构包括一可饱和吸收层，且该可饱和吸收层由InGaAs P形成。 |
| 公开日期 | 2003-11-26 |
| 申请日期 | 1997-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45498]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木户口勳,足立秀人,熊渕康仁. 半导体激光器及劈开方法. CN1129218C. 2003-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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