半导体激光元件和其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 广山良治; 三宅辉明; 宫田让 |
| 发表日期 | 2010-09-22 |
| 专利号 | CN1941526B |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光元件和其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Mg和Zn。另外，p型层所含有的Zn的杂质浓度，比p型层所含有的Mg的杂质浓度大。 |
| 公开日期 | 2010-09-22 |
| 申请日期 | 2006-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45507]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 广山良治,三宅辉明,宫田让. 半导体激光元件和其制造方法. CN1941526B. 2010-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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