氮化物半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 冨谷茂隆; 日野智公 |
| 发表日期 | 2005-05-25 |
| 专利号 | CN1203598C |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 2002-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45521]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷茂隆,日野智公. 氮化物半导体激光器. CN1203598C. 2005-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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