半导体激光器保护装置
文献类型：专利
| 作者 | 郑全昌; 胡德洲; 甘义成; 佟之晖; 卢红星 |
| 发表日期 | 2013-01-02 |
| 专利号 | CN202651783U |
| 著作权人 | 深圳瑞丰恒激光技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 半导体激光器保护装置 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器保护装置，其特征在于，并联一个防止LD受到反相电压冲击的反向二极管，防止LD因反向电压而损坏，并在半导体激光器两端并联了一个小电容，该保护装置可以实现对半导体激光器的慢速启动，控制电压不突然急剧加在整个恒流源电路上，而是在设定时间内从零逐渐增大，慢速关闭是指控制电压Vs不突然减为0，而是在设定的时间内逐渐减至0，当电路中电流过大时，也可以通过比较器LM339A和稳压二级管对电路进行调整，限制最大电流。 |
| 公开日期 | 2013-01-02 |
| 申请日期 | 2012-05-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45547]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深圳瑞丰恒激光技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑全昌,胡德洲,甘义成,等. 半导体激光器保护装置. CN202651783U. 2013-01-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。