半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置
文献类型：专利
| 作者 | 幸田伦太郎; 仓本大; 仲山英次; 藤本强 |
| 发表日期 | 2012-02-08 |
| 专利号 | CN101714745B |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了具有端面窗结构的半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置，所述制造方法包括如下步骤：在包括第一区域和周期性平行布置在第一区域之间的第二区域的氮化物基III-V族化合物半导体基板上形成由绝缘膜构成的掩模；以及在未被掩模覆盖的区域中生长氮化物基III-V族化合物半导体层。每两个邻近的第二区域之间的第一区域具有两个以上的关于第一区域的中心线对称的激光器条纹形成位置。至少在端面窗结构的形成位置附近，将所述掩模形成在各个激光器条纹形成位置一侧或两侧，并使所述掩模关于中心线对称。氮化物基III-V族化合物半导体层包括至少含有铟和镓的活性层。本发明能够容易地形成端面窗结构，并能抑制波导损失、光吸收和局部发热。 |
| 公开日期 | 2012-02-08 |
| 申请日期 | 2009-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45581]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幸田伦太郎,仓本大,仲山英次,等. 半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置. CN101714745B. 2012-02-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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