硅基半导体超短脉冲激光器
文献类型：专利
| 作者 | 丁颖; 倪海桥; 李密锋; 喻颖; 查国伟; 徐建新; 王莉娟; 牛智川 |
| 发表日期 | 2015-07-15 |
| 专利号 | CN103414106B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 硅基半导体超短脉冲激光器 |
| 英文摘要 | 一种硅基半导体超短脉冲激光器，包括：一硅衬底、一缓冲层、一下光限制包层、一下势垒、一有源层、一上势垒、一上光限制包层和一欧姆接触层；其中该缓冲层、下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层依次制作在硅衬底上；所述下光限制包层、下势垒、有源层、上势垒、上光限制包层和欧姆接触层为半导体激光器外延结构；其中在欧姆接触层的表面向下开有沟槽，该沟槽中填充有二氧化硅材料，该沟槽的一侧为半导体放大器，另一侧为可饱和吸收体结构。本发明可以很好地解决目前半导体超短脉冲激光器主要以GaAs或InP为衬底，无法和硅基微电子集成的问题。 |
| 公开日期 | 2015-07-15 |
| 申请日期 | 2013-08-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45597]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁颖,倪海桥,李密锋,等. 硅基半导体超短脉冲激光器. CN103414106B. 2015-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。