光电半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 陈彦文; 陈威佑; 王健源; 谢明勋; 陈泽澎 |
| 发表日期 | 2011-12-28 |
| 专利号 | CN101752332B |
| 著作权人 | 晶元光电股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光电半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体光电元件，包含：基板；半导体系统，包含有源层形成于基板之上；及电极结构，形成于半导体系统之上，此电极结构包含：第一电性接触区及第一电性打线垫；第二电性打线垫；第一电性延伸线路；第二电性延伸线路，其中第一电性延伸线路与第二电性延伸线路以立体跨接方式交错；及绝缘层，形成于该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路的交会跨接处。 |
| 公开日期 | 2011-12-28 |
| 申请日期 | 2008-12-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45628]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 晶元光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈彦文,陈威佑,王健源,等. 光电半导体装置. CN101752332B. 2011-12-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。