半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 沢野 博之; 小林 健一; 上野 芳康 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP2990009B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウインドウ領域における吸収のない、高信頼なウインドウ構造高出力半導体レーザを実現する。 【構成】 GaAs基板1上に、MOVPE法によってn-クラッド層2、自然超格子構造をもつGaInP活性層3、p-クラッド層4、エッチングストッパ層5とキャップ層11を形成する。次に、キャップ層11上にSiO2 膜12、フォトレジスト13を形成し、ストライプ状の開口部14を部分的に形成し、SiO2 膜12およびフォトレジスト13をマスクとし上面よりNイオンまたはBイオンのイオン注入を行う。次にマスク及びキャップ層を除去した後、クラッド層6を成長する。このクラッド層の成長がイオン注入後のアニールを兼ねることもできる。このアニールによりイオン注入部の活性層の自然超格子を無秩序化し、バンドギャップを拡大しウインドウ領域が形成される。 |
| 公开日期 | 1999-12-13 |
| 申请日期 | 1994-03-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沢野 博之,小林 健一,上野 芳康. 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. JP2990009B2. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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