Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region
文献类型：专利
| 作者 | BOTEZ, DAN; MAWST, LUKE J. |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | US5889805 |
| 著作权人 | COHERENT INC. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region |
| 英文摘要 | Semiconductor diode lasers include an aluminum free active region including at least one active layer having a general composition In(1-x)GaxAsyP(1-y) where 0 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1996-11-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45632]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | COHERENT INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BOTEZ, DAN,MAWST, LUKE J.. Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region. US5889805. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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