面発光レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 敦 |
| 发表日期 | 2006-01-20 |
| 专利号 | JP3761130B2 |
| 著作权人 | 三井化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 熱飽和や端面劣化を可及的に抑制し、高い光出力が得られる面発光レーザ装置を提供する。 【解決手段】 面発光レーザ装置は、GaAs基板65の上に順次、Al0.16Ga0.84Asクラッド層64、GaAs光導波層63、Al0.30Ga0.70Asキャリアブロック層62、GaAsサイドバリア層61、InGaAs活性層60、GaAsサイドバリア層59、Al0.30Ga0.70Asキャリアブロック層58、GaAs光導波層57、Al0.16Ga0.84Asクラッド層56、エッチングストップ層55、コンタクト層67が形成される。水平な共振器端面52aと垂直な共振器端面52bとの間の共振器光軸に介在するように、反射ミラーとして機能する傾斜端面53が形成される。 |
| 公开日期 | 2006-03-29 |
| 申请日期 | 1999-02-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45654]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 敦. 面発光レーザ装置. JP3761130B2. 2006-01-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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