レーザダイオード製造方法
文献类型：专利
| 作者 | イ ス ウォン; ジョ ギュ ソク; キム テ ジン; オ ギョン ソク |
| 发表日期 | 1998-09-18 |
| 专利号 | JP2828628B2 |
| 著作权人 | ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | レーザダイオード製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 InP系埋め込み型異種接合半導体レーザダイオード(PBH-LD)で漏れ電流の一経路を提供する原因であるマスクのアンダーカットを無くす。 【解決手段】 本発明にもとづくレーザダイオード製造方法では、従来の単層酸化膜パターンの代りに酸化膜および窒化膜の二重層をマスクとして利用し、酸化膜および窒化膜の二重層を選択湿式蝕刻および乾式蝕刻を施して、酸化膜および窒化膜の二重層パターンを形成し、アンダーカットが発生しないメサ構造を形成した後、電流遮断層を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-11-25 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45657]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | イ ス ウォン,ジョ ギュ ソク,キム テ ジン,等. レーザダイオード製造方法. JP2828628B2. 1998-09-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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