半導体光変調器
文献类型：专利
| 作者 | 野田 行雄; 鈴木 正敏; 久代 行俊; 秋葉 重幸 |
| 发表日期 | 1994-11-14 |
| 专利号 | JP1994090369B2 |
| 著作权人 | 国際電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光変調器 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor optical modulator which performs fast modulation without increasing a modulating voltage by increasing the carrier density of a clad layer adjoining to an optical waveguide layer toward P-N junction or Schottky junction. CONSTITUTION:A lower clad layer 8 is formed increasing in carrier density from the side of an InP substrate 1 to the optical waveguide layer 3. Thus, the carrier density of the lower clad layer 8 is varied to applying an electric field to the whole of the lower clad layer 8 without increasing the modulating voltage even if the lower clad layer 8 is increased in layer thickness, thereby increasing the width W of a depletion layer. The size of the P-N junction capacity decrease in inverse proportion to the width W of the depletion layer, so high-speed modulation is performed without increasing a reverse voltage. |
| 公开日期 | 1994-11-14 |
| 申请日期 | 1986-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45658]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国際電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野田 行雄,鈴木 正敏,久代 行俊,等. 半導体光変調器. JP1994090369B2. 1994-11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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