化合物半導体素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨岡 聡; ヤン·ルベレゴ; 河合 弘治 |
| 发表日期 | 2001-12-07 |
| 专利号 | JP3257254B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【目的】選択エピタキシャル成長技術に基づいて作製された、高い信頼性を有する配線構造を備えた化合物半導体素子を提供する。 【構成】化合物半導体基板10、この基板の{111}B面上に形成された化合物半導体結晶層20、及びこの基板上に形成されたマスク層12の上に設けられたコンタクト部44から成る化合物半導体素子であって、化合物半導体結晶層20の頂面22Aは{-1,-1,-1}面から構成され、頂面22Aには電極40が形成されており、化合物半導体結晶層20には少なくとも1つの斜面22Bが形成されており、斜面22Bは主に{0,-1,-1}面から構成されており、コンタクト部44と電極40とは、斜面22B上を延びる配線層42で電気的に接続されている。 |
| 公开日期 | 2002-02-18 |
| 申请日期 | 1994-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45659]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨岡 聡,ヤン·ルベレゴ,河合 弘治. 化合物半導体素子及びその作製方法. JP3257254B2. 2001-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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