半導体素子及び半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 板谷 和彦; 山本 雅裕; 小野村 正明; 藤本 英俊; 波多腰 玄一; 菅原 秀人; 石川 正行; ジョン·レニー; 斎藤 真司 |
| 发表日期 | 2007-01-19 |
| 专利号 | JP3905935B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ等における共振器ミラーを容易に形成することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 立方晶型を有する半導体基板または半導体層をナイトライド系発光層または素子部分に接着または成長して、立方晶型を有する半導体基板の自然へき開性を用いてミラーを形成するものである。また、サファイヤなど、ナイトライド系発光層を成長させるために用いた成長基板は、AlNなどの層を挿入し、エッチング、リフトオフし、基板に導電性のものにすることにより直列抵抗を減少させ、かつ信頼性をも向上させたものである。 |
| 公开日期 | 2007-04-18 |
| 申请日期 | 1996-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 板谷 和彦,山本 雅裕,小野村 正明,等. 半導体素子及び半導体素子の製造方法. JP3905935B2. 2007-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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