多層構造半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | ジョン·レニー; 波多腰 玄一; 斎藤 真司 |
| 发表日期 | 2003-08-01 |
| 专利号 | JP3457468B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多層構造半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】ZnSeおよびGaN系多層構造発光装置またはZnSe系ヘテロ構造FETのN-Nヘテロ界面に動作電流により生ずる過剰な電圧降下を低減し、装置の長寿命化を図る。 【解決手段】過剰な電圧降下を生ずるN-Nヘテロ接合界面に、単数または複数のN形の中間層を設け、中間層の伝導帯の端のエネルギー値をその両面に隣接するN形化合物半導体の伝導帯の端のエネルギー値の中間にすることにより、前記N-Nヘテロ界面に生ずる過剰電圧降下を低減する。 |
| 公开日期 | 2003-10-20 |
| 申请日期 | 1996-06-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョン·レニー,波多腰 玄一,斎藤 真司. 多層構造半導体装置. JP3457468B2. 2003-08-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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