窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 仁道 正明; 木村 明隆 |
| 发表日期 | 2001-07-06 |
| 专利号 | JP3206555B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発振しきい値電流が小さく、基本横モード発振し、かつ抵抗が小さい窒化ガリウム系発光素子を簡単な製造工程で得られる構造を提供する。 【解決手段】 最表面層が第1導電型の第1の半導体層である基板結晶上に形成されたストライプ状の開口部を持つ絶縁体マスクと、マスクのストライプ状の開口部に選択的に形成された一般式InpAlqGa1-p-qN(0≦p≦1、0≦q≦1、0≦p+q≦1)で表される半導体層を含む活性層と、活性層上の一般式InuAlvGa1-u-vN(0≦u≦1、0≦v≦1、0≦u+v≦1)で表される第2導電型半導体層を少なくとも1層含む第2の半導体層とを有する窒化ガリウム系発光素子において、第1の半導体層の結晶構造が六方晶であり、その表面が(0001)面または(0001)面となす角が10度以内である面であり、マスクのストライプ方向を第1の半導体層の[1-100]方向または[1-100]方向となす角が10度以内である方向に形成する。 |
| 公开日期 | 2001-09-10 |
| 申请日期 | 1998-08-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45670]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仁道 正明,木村 明隆. 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法. JP3206555B2. 2001-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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